常见的内存参数优化
SDRAM RAS-TO-CAS Delay(内存行地址传输到列地址的延迟时间)
可选项：2，3。
该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。
SDRAM RAS Precharge Time(内存行地址选通脉冲预充电时间)
可选项：2，3。
该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据。
Memory Hole At 15M-16M(位于15M～16M的内存保留区)
可选项： Disabled，Enabled。
一些特殊的ISA扩展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的内存区域，该参数设为Enabled就将该内存区域保留给此类ISA扩展卡使用。由于PC'99规范已不再支持ISA扩展槽，所以新型的主板一般都没有ISA插槽，因而应将该参数设为Disabled。
System Memory Frequency(系统内存频率)
可选项：AUTO、100MHz、133MHz。
此项设置实现内存异步运行管理功能。AUTO：根据内存的特性自动设定内存的工作频率；100MHz：将内存强制设定在100MHz频率下工作；133MHz：将内存强制设定在133MHz频率下工作。
Memory Parity/ECC Check(内存奇偶/ECC校验)
可选项：Disabled，Enabled。
如果系统使用了ECC内存，可以将该参数设为Enabled，否则一定要将该参数设成Disabled。ECC表示差错校验和纠正(Error Checking and Correction)一般是高档服务器内存条所具备的功能，这种内存条有实现ECC功能的内存颗粒，使系统能够检测并纠正内存中的一位数据差错或者是检测出两位数据差错。ECC功能可以提高数据的完整性和系统的稳定性，这对服务器尤其重要，但ECC会造成一定的性能损失。
VIA芯片组主板
VIA芯片组主板一般比Intel芯片组主板内存设置选项要丰富一些，在这类主板BIOS的Advanced Chipset Features(高级芯片组特性)设置页面中一般包含以下内存设置项：
Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(内存速度设定)
可选项：Turbo(高速)，Fast(快速)，Medium(中等)，Normal(正常)，SDRAM 8/10 ns。
该选项用于设定内存的速度，对于SDRAM内存条，设定为SDRAM 8/10 ns即可。
关键词：内存CAS,SDRAM RAS,内存时钟频率,改善内存性能,VIA芯片组